昨天费城半导体指数($SOX)飙涨4.1%，并带动纳指基本收复了前一天的全部失地，将标普和道指落在了后边。昨天整个交易日市场犹豫气氛浓重，震荡剧烈，最终纳斯达克综合指数成功高收1.2%，不过标普500和道琼斯工业平均指数涨幅只有0.3%。另外，罗素2000小型股指数和标普400中型股指数分别走高0.6%和0.4%。纳指收于当日振幅最上面的四分之一，标普500和道指均收于振幅中位偏下。

　　两大交易所量能涨跌不一，纽约证交所总成交量较上一交易日下降1%，纳斯达克交易所出现10%的放大。量能的不同表现反映出市场的技术面出现分歧。对纳指而言，成交活跃度的上升是看涨的，因为指数同时获得超过一个百分点的涨幅。这样，纳综指在一周多的时间里便出现了4个“吸筹日”。但是对于标普和道指而言，形势却不容乐观，在前一个交易日出现放量下跌(出货日)之后，昨天接着缩量上涨，这是不利的信号。市场内部也出现分化。纳斯达克上升股成交量与下跌股成交量之比接近3比1，但纽交所下跌股成交量还略微超出。

　　费城半导体指数今年第一季度一直横向运行，如同死水一潭，但是本月初终于开始焕发出生机。4月1日，指数在将近半年的时间里首次收于50日均线上方。由于这一有利突破，我们当时买进了一只半导体ETF，但是随后半导体板块并未表现出更强的动能，而是在两周后突破失败，又跌回了原形。不过指数很快在50日均线处找到支撑。(记住，一个前期阻力位被突破之后将转为新的支撑位。)半导体指数4月15日从50日线大幅反弹，随后稳步攀高。昨天指数动力非常强劲，以4.1%的涨幅遥遥领先大盘。更重要的是，昨天半导体指数收盘突破了2月高点的阻力，突破这一水平价格阻力位可能激发进一步的上升动能。请看下面半导体指数的日线图：

　　如果未来数天整体大盘不出现下滑，那么现在买入半导体板块个股或ETF风险是比较低的，风险收益率也不错。我们可以考虑下面这些半导体ETF：SemiconductorHOLDR(SMH)、iSharesSemiconductor(IGW)、PowerSharesSemiconductor(PSI)、SPDR S&PSemiconductor(XSD)和ProSharesUltraSemiconductor(USD)。这些ETF中，XSD的图形同费城半导体指数的图形最为相似，PSI则在今年同指数的背离程度最大。但不幸的是，所有这些ETF都没有大幅领先指数的走势。

　　我们预计半导体指数至少将上攻至周线图上从2007年7月高点下来的下降趋势线的阻力位。请看下图：

　　目前这一下降趋势线的阻力大约在413点，距离昨日收盘大约7%。如果指数成功站上该下降趋势线，下一个阻力位将是200日均线，就在上方不远处。由于上方有这样两个重大阻力，因此我们绝对不建议大家长线做多半导体板块，只是让大家注意到板块出现的短期交易机会。如果板块能够持续昨天的相对动能，那么用不了几个交易日就能够触到长期下降趋势线。到那时，我们既可以逢高出货、快速锁定收益，也可以采取收紧止损的策略。

　　除了半导体板块，我们还在密切跟踪DB Commodity IndexTrackingFund(DBC)的走势，等待它突破至历史新高。在昨天的评论中我们就指出了DBC的蓄势，不过昨天它基本没有什么变化。如果DBC上行至4月22日高点上方，我们打算买进。我们关注的另一个建仓机会是iSharesXinhuaChina 25IndexFund(FXI)。昨天它暴涨8%左右，开盘出现跳空，突破数月来水平价格阻力，收盘站上200日均线。同时成交量飙升至1个多月来最高水平，说明机构在大量吸筹。我们最理想的买进机会是FXI回调至时线图上20小时均线(昨日低点附近)的时候，或者至少经过一两个交易日的价格整理行情。

　　大盘方面，纳斯达克综合指数和纳斯达克100指数的近期图形比标普500和道琼斯工业平均指数更为有利。比方说，如果纳斯达克100指数能够超过昨日高点，它将突破4天的窄幅整理区间。一旦突破发生，我们可以考虑买进Nasdaq100TrackingStock(QQQQ)，短线持有1到3个交易日，保护性止损设在昨日低点紧下方。很显然，标普和道指的相对弱势将抑制纳指的进一步大幅走高，因此要建仓的话现在就要下手。另外，最重要的一点，顺市操作，切勿臆想！

　　(本文作者：Deron Wagner of The Wagner Daily）（来源：新浪财经)